SI7909DN-T1-E3
SI7909DN-T1-E3
Số Phần:
SI7909DN-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15072 Pieces
Bảng dữliệu:
SI7909DN-T1-E3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI7909DN-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI7909DN-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI7909DN-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 700µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:PowerPAK® 1212-8 Dual
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Power - Max:1.3W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:PowerPAK® 1212-8 Dual
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI7909DN-T1-E3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 4.5V
Loại FET:2 P-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Xả để nguồn điện áp (Vdss):12V
Sự miêu tả:MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.3A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận