SI8465DB-T2-E1
SI8465DB-T2-E1
Số Phần:
SI8465DB-T2-E1
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14726 Pieces
Bảng dữliệu:
SI8465DB-T2-E1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI8465DB-T2-E1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI8465DB-T2-E1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI8465DB-T2-E1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±12V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:4-Microfoot
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:104 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:4-XFBGA, CSPBGA
Vài cái tên khác:SI8465DB-T2-E1DKR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:15 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SI8465DB-T2-E1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận