SI9945BDY-T1-GE3
Số Phần:
SI9945BDY-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14156 Pieces
Bảng dữliệu:
SI9945BDY-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI9945BDY-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI9945BDY-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI9945BDY-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:58 mOhm @ 4.3A, 10V
Power - Max:3.1W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:SI9945BDY-T1-GE3-ND
SI9945BDY-T1-GE3TR
SI9945BDYT1GE3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:15 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SI9945BDY-T1-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:665pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.3A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận