SIHG33N65EF-GE3
SIHG33N65EF-GE3
Số Phần:
SIHG33N65EF-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16923 Pieces
Bảng dữliệu:
SIHG33N65EF-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SIHG33N65EF-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SIHG33N65EF-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SIHG33N65EF-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247AC
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:109 mOhm @ 16.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):313W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:SiHG33N65EF-GE3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:20 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SIHG33N65EF-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4026pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:171nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 31.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:31.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận