Mua SIHG73N60E-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±30V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Loạt: | - |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 39 mOhm @ 36A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 520W (Tc) |
Bao bì: | Cut Tape (CT) |
Gói / Case: | TO-247-3 |
Vài cái tên khác: | SIHG73N60E-GE3CT SIHG73N60E-GE3CT-ND SIHG73N60EGE3 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 19 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | SIHG73N60E-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 7700pF @ 100V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 362nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 600V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 600V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 73A (Tc) |
Email: | [email protected] |