SSM6N58NU,LF
SSM6N58NU,LF
Số Phần:
SSM6N58NU,LF
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17418 Pieces
Bảng dữliệu:
SSM6N58NU,LF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SSM6N58NU,LF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SSM6N58NU,LF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SSM6N58NU,LF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Gói thiết bị nhà cung cấp:6-UDFN (2x2)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:84 mOhm @ 2A, 4.5V
Power - Max:1W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-WDFN Exposed Pad
Vài cái tên khác:SSM6N58NU,LF(B
SSM6N58NU,LF(T
SSM6N58NULF
SSM6N58NULFTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SSM6N58NU,LF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:129pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:1.8nC @ 4.5V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate, 1.8V Drive
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận