STQ2NK60ZR-AP
STQ2NK60ZR-AP
Số Phần:
STQ2NK60ZR-AP
nhà chế tạo:
ST
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15185 Pieces
Bảng dữliệu:
STQ2NK60ZR-AP.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho STQ2NK60ZR-AP, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho STQ2NK60ZR-AP qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua STQ2NK60ZR-AP với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92-3
Loạt:SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, VGS:8 Ohm @ 700mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):3W (Tc)
Bao bì:Tape & Box (TB)
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Vài cái tên khác:497-12345-3
STQ2NK60ZRAP
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:18 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:STQ2NK60ZR-AP
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:170pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:400mA (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận