TK7P60W5,RVQ
TK7P60W5,RVQ
Số Phần:
TK7P60W5,RVQ
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13740 Pieces
Bảng dữliệu:
TK7P60W5,RVQ.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK7P60W5,RVQ, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK7P60W5,RVQ qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK7P60W5,RVQ với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 350µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK
Loạt:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, VGS:670 mOhm @ 3.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):60W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:TK7P60W5,RVQ(S
TK7P60W5RVQTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TK7P60W5,RVQ
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 300V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 7A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận