TPWR8503NL,L1Q
TPWR8503NL,L1Q
Số Phần:
TPWR8503NL,L1Q
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13875 Pieces
Bảng dữliệu:
TPWR8503NL,L1Q.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TPWR8503NL,L1Q, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TPWR8503NL,L1Q qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TPWR8503NL,L1Q với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-DSOP Advance
Loạt:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, VGS:0.85 mOhm @ 50A, 10V
Điện cực phân tán (Max):800mW (Ta), 142W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerWDFN
Vài cái tên khác:TPWR8503NL,L1Q(M
TPWR8503NLL1QTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TPWR8503NL,L1Q
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:74nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 150A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận