VS-GB50TP120N
Số Phần:
VS-GB50TP120N
nhà chế tạo:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Sự miêu tả:
IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14273 Pieces
Bảng dữliệu:
VS-GB50TP120N.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho VS-GB50TP120N, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho VS-GB50TP120N qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua VS-GB50TP120N với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:2.15V @ 15V, 50A
Gói thiết bị nhà cung cấp:INT-A-PAK
Loạt:-
Power - Max:446W
Gói / Case:INT-A-PAK (3 + 4)
Vài cái tên khác:VSGB50TP120N
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:VS-GB50TP120N
Input Điện dung (Cies) @ VCE:4.29nF @ 25V
Đầu vào:Standard
Loại IGBT:-
Mô tả mở rộng:IGBT Module Half Bridge 1200V 100A 446W Chassis Mount INT-A-PAK
Sự miêu tả:IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):5mA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100A
Cấu hình:Half Bridge
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận