1N5552US
1N5552US
Số Phần:
1N5552US
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
16167 Pieces
Bảng dữliệu:
1N5552US.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 1N5552US, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 1N5552US qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 1N5552US với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.2V @ 9A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):600V
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-5B
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):2µs
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SQ-MELF, B
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 175°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:1N5552US
Mô tả mở rộng:Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:1µA @ 600V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):3A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận