2N3439L
2N3439L
Số Phần:
2N3439L
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
TRANS NPN 350V 1A TO-5
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
14215 Pieces
Bảng dữliệu:
2N3439L.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2N3439L, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2N3439L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2N3439L với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):350V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 4mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-5
Loạt:-
Power - Max:800mW
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 200°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:23 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:2N3439L
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Through Hole TO-5
Sự miêu tả:TRANS NPN 350V 1A TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:40 @ 20mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):2µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận