2N6766T1
Số Phần:
2N6766T1
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V TO-254AA
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
13218 Pieces
Bảng dữliệu:
1.2N6766T1.pdf2.2N6766T1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2N6766T1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2N6766T1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2N6766T1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-254AA
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:90 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):4W (Ta), 150W (Tc)
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:2N6766T1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:115nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V TO-254AA
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận