2SB1189T100Q
2SB1189T100Q
Số Phần:
2SB1189T100Q
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17360 Pieces
Bảng dữliệu:
2SB1189T100Q.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SB1189T100Q, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SB1189T100Q qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SB1189T100Q với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 50mA, 500mA
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:MPT3
Loạt:-
Power - Max:2W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-243AA
Vài cái tên khác:2SB1189T100Q-ND
2SB1189T100QTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:2SB1189T100Q
Tần số - Transition:100MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 700mA 100MHz 2W Surface Mount MPT3
Sự miêu tả:TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:120 @ 100mA, 3V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):700mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận