APT1003RBLLG
APT1003RBLLG
Số Phần:
APT1003RBLLG
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12562 Pieces
Bảng dữliệu:
APT1003RBLLG.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APT1003RBLLG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APT1003RBLLG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APT1003RBLLG với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247 [B]
Loạt:POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, VGS:3 Ohm @ 2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):139W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:APT1003RBLLG
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:694pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1000V (1kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận