APT6030BN
Số Phần:
APT6030BN
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15793 Pieces
Bảng dữliệu:
APT6030BN.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APT6030BN, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APT6030BN qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APT6030BN với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247AD
Loạt:POWER MOS IV®
Rds On (Max) @ Id, VGS:300 mOhm @ 11.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):360W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:APT6030BN
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:210nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 23A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận