APTGT35DA120D1G
Số Phần:
APTGT35DA120D1G
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
IGBT 1200V 55A 205W D1
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13876 Pieces
Bảng dữliệu:
APTGT35DA120D1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APTGT35DA120D1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APTGT35DA120D1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APTGT35DA120D1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 35A
Gói thiết bị nhà cung cấp:D1
Loạt:-
Power - Max:205W
Gói / Case:D1
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:APTGT35DA120D1G
Input Điện dung (Cies) @ VCE:2.5nF @ 25V
Đầu vào:Standard
Loại IGBT:Trench Field Stop
Mô tả mở rộng:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
Sự miêu tả:IGBT 1200V 55A 205W D1
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):5mA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):55A
Cấu hình:Single
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận