APTM120DA56T1G
Số Phần:
APTM120DA56T1G
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15992 Pieces
Bảng dữliệu:
APTM120DA56T1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APTM120DA56T1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APTM120DA56T1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APTM120DA56T1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SP1
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:672 mOhm @ 14A, 10V
Điện cực phân tán (Max):390W (Tc)
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SP1
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:APTM120DA56T1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:7736pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1200V (1.2kV) 18A 390W (Tc) Chassis Mount SP1
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1200V (1.2kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:18A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận