APTM120H57FT3G
Số Phần:
APTM120H57FT3G
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15347 Pieces
Bảng dữliệu:
APTM120H57FT3G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APTM120H57FT3G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APTM120H57FT3G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APTM120H57FT3G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Gói thiết bị nhà cung cấp:SP3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:684 mOhm @ 8.5A, 10V
Power - Max:390W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SP3
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:APTM120H57FT3G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:5155pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:187nC @ 10V
Loại FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET Feature:Standard
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1200V (1.2kV)
Sự miêu tả:MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:17A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận