APTM50DSK10T3G
Số Phần:
APTM50DSK10T3G
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19110 Pieces
Bảng dữliệu:
1.APTM50DSK10T3G.pdf2.APTM50DSK10T3G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APTM50DSK10T3G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APTM50DSK10T3G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APTM50DSK10T3G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Gói thiết bị nhà cung cấp:SP3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 18.5A, 10V
Power - Max:312W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SP3
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:APTM50DSK10T3G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4367pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:96nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Standard
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):500V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:37A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận