APTSM120AM08CT6AG - Microsemi Corporation - Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng APTSM120AM08CT6AG

APTSM120AM08CT6AG

Số Phần:: APTSM120AM08CT6AG

nhà chế tạo:: Microsemi

Sự miêu tả:: POWER MODULE - SIC

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 15885 Pieces

Bảng dữliệu:: APTSM120AM08CT6AG.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APTSM120AM08CT6AG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APTSM120AM08CT6AG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua APTSM120AM08CT6AG với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:	3V @ 10mA
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SP6
Loạt:	-
Rds On (Max) @ Id, VGS:	10 mOhm @ 200A, 20V
Power - Max:	2300W
Bao bì:	Bulk
Gói / Case:	SP6
Nhiệt độ hoạt động:	-40°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	APTSM120AM08CT6AG
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:	1360nC @ 20V
Loại FET:	2 N-Channel (Dual), Schottky
FET Feature:	Silicon Carbide (SiC)
Mô tả mở rộng:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 370A (Tc) 2300W Chassis Mount SP6
Xả để nguồn điện áp (Vdss):	1200V (1.2kV)
Sự miêu tả:	POWER MODULE - SIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:	370A (Tc)
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho APTSM120AM08CT6AG

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
APTSM120AM14CD3AG	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	Tin nhắn của bạn
APTSM120TAM33CTPAG	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	Tin nhắn của bạn
APTSM120AM25CT3AG	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	Tin nhắn của bạn
APTSM120AM09CD3AG	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	Tin nhắn của bạn
APTSM120AM55CT1AG	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức