C3M0065100J
Số Phần:
C3M0065100J
nhà chế tạo:
Cree
Sự miêu tả:
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13109 Pieces
Bảng dữliệu:
C3M0065100J.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho C3M0065100J, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho C3M0065100J qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua C3M0065100J với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 5mA
Vgs (Tối đa):+15V, -4V
Công nghệ:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D2PAK-7
Loạt:C3M™
Rds On (Max) @ Id, VGS:78 mOhm @ 20A, 15V
Điện cực phân tán (Max):113.5W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:C3M0065100J
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 600V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 15V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):15V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1000V (1kV)
Sự miêu tả:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận