CSD18504Q5AT
Số Phần:
CSD18504Q5AT
nhà chế tạo:
Sự miêu tả:
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17050 Pieces
Bảng dữliệu:
CSD18504Q5AT.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho CSD18504Q5AT, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CSD18504Q5AT qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CSD18504Q5AT với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-VSON (5x6)
Loạt:NexFET™
Điện cực phân tán (Max):3.1W (Ta), 77W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:296-46080-2
CSD18504Q5AT-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:CSD18504Q5AT
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1656pF @ 20V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 15A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:15A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận