EMX1T2R - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng EMX1T2R

EMX1T2R

Số Phần:: EMX1T2R

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 12891 Pieces

Bảng dữliệu:: EMX1T2R.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EMX1T2R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EMX1T2R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua EMX1T2R với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	400mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:	2 NPN (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	EMT6
Loạt:	-
Power - Max:	150mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác:	EMX1T2R-ND EMX1T2RTR
Nhiệt độ hoạt động:	150°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	EMX1T2R
Tần số - Transition:	180MHz
Mô tả mở rộng:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
Sự miêu tả:	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	120 @ 1mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	150mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho EMX1T2R

hình ảnh	Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
	HN2C01FU-GR(T5L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 50V 0.15A US6	Tin nhắn của bạn
	PBSS5260PAPSX	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP 60V 2A 6HUSON	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức