EPC2036
EPC2036
Số Phần:
EPC2036
nhà chế tạo:
EPC
Sự miêu tả:
TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13032 Pieces
Bảng dữliệu:
1.EPC2036.pdf2.EPC2036.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EPC2036, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EPC2036 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua EPC2036 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 600µA
Vgs (Tối đa):+6V, -4V
Công nghệ:GaNFET (Gallium Nitride)
Gói thiết bị nhà cung cấp:Die
Loạt:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 1A, 5V
Điện cực phân tán (Max):-
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:Die
Vài cái tên khác:917-1100-2
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:EPC2036
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:90pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:0.91nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 1A (Ta) Surface Mount Die
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận