EPC2104ENG
EPC2104ENG
Số Phần:
EPC2104ENG
nhà chế tạo:
EPC
Sự miêu tả:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19803 Pieces
Bảng dữliệu:
EPC2104ENG.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EPC2104ENG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EPC2104ENG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua EPC2104ENG với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 5.5mA
Gói thiết bị nhà cung cấp:Die
Loạt:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, VGS:6.3 mOhm @ 20A, 5V
Power - Max:-
Bao bì:Tray
Gói / Case:Die
Vài cái tên khác:917-EPC2104ENG
EPC2104ENGRH4
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:EPC2104ENG
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 5V
Loại FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature:GaNFET (Gallium Nitride)
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận