EPC8007ENGR
EPC8007ENGR
Số Phần:
EPC8007ENGR
nhà chế tạo:
EPC
Sự miêu tả:
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15947 Pieces
Bảng dữliệu:
1.EPC8007ENGR.pdf2.EPC8007ENGR.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EPC8007ENGR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EPC8007ENGR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua EPC8007ENGR với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Công nghệ:GaNFET (Gallium Nitride)
Gói thiết bị nhà cung cấp:Die
Loạt:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, VGS:160 mOhm @ 500mA, 5V
Điện cực phân tán (Max):-
Bao bì:Tray
Gói / Case:Die
Vài cái tên khác:917-EPC8007ENGR
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:EPC8007ENGR
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:39pF @ 20V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:0.3nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 3.8A (Ta) Surface Mount Die
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận