FDME820NZT
FDME820NZT
Số Phần:
FDME820NZT
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15479 Pieces
Bảng dữliệu:
FDME820NZT.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FDME820NZT, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FDME820NZT qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FDME820NZT với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±12V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:MicroFet 1.6x1.6 Thin
Loạt:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 9A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):2.1W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-PowerUFDFN
Vài cái tên khác:FDME820NZT-ND
FDME820NZTTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FDME820NZT
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:865pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:8.5nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 20V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận