IXTP3N110
IXTP3N110
Số Phần:
IXTP3N110
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14482 Pieces
Bảng dữliệu:
IXTP3N110.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXTP3N110, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXTP3N110 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXTP3N110 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220AB
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:4 Ohm @ 1.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):150W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IXTP3N110
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1100V (1.1kV) 3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1100V (1.1kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận