Mua JAN1N5417US với BYCHPS
Mua với đảm bảo
JAN1N5417US
- Số Phần:
- JAN1N5417US
- nhà chế tạo:
- Microsemi
- Sự miêu tả:
- DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Chứa chì / RoHS không tuân thủ
- Số lượng có sẵn:
- 18210 Pieces
- Bảng dữliệu:
- JAN1N5417US.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho JAN1N5417US, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JAN1N5417US qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Voltage - DC Xếp (VR) (Max): | 200V |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | B, SQ-MELF |
| Tốc độ: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Loạt: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Xếp Thời gian phục hồi (TRR): | 150ns |
| Bao bì: | Bulk |
| Gói / Case: | SQ-MELF, B |
| Vài cái tên khác: | 1086-2089 1086-2089-MIL |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 8 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | JAN1N5417US |
| Mô tả mở rộng: | Diode Standard 200V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Loại diode: | Standard |
| Sự miêu tả: | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 1µA @ 200V |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io): | 3A |
| Dung @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho JAN1N5417US
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Tin nhắn của bạn |
 |
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Tin nhắn của bạn |
|
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Tin nhắn của bạn |
 |
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Tin nhắn của bạn |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Tin nhắn của bạn |
|
JAN1N5416US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Tin nhắn của bạn |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Tin nhắn của bạn |
 |
JAN1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Tin nhắn của bạn |
|
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | Tin nhắn của bạn |
|
JAN1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Tin nhắn của bạn |
|
JAN1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog