JAN1N5619US
Số Phần:
JAN1N5619US
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
18614 Pieces
Bảng dữliệu:
JAN1N5619US.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JAN1N5619US, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JAN1N5619US qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JAN1N5619US với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.6V @ 3A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):600V
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-5A
Tốc độ:Fast Recovery = 200mA (Io)
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/429
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):250ns
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SQ-MELF, A
Vài cái tên khác:1086-19421
1086-19421-MIL
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 175°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:JAN1N5619US
Mô tả mở rộng:Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:500nA @ 600V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):1A
Dung @ VR, F:25pF @ 12V, 1MHz
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận