JAN1N6628
Số Phần:
JAN1N6628
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
15067 Pieces
Bảng dữliệu:
JAN1N6628.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JAN1N6628, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JAN1N6628 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JAN1N6628 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.35V @ 1.2A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):660V
Tốc độ:Fast Recovery = 200mA (Io)
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/590
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):30ns
Bao bì:Bulk
Gói / Case:E, Axial
Vài cái tên khác:1086-2306
1086-2306-MIL
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 175°C
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:JAN1N6628
Mô tả mở rộng:Diode Standard 660V 1.75A Through Hole
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:2µA @ 600V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):1.75A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận