JAN2N5416
Số Phần:
JAN2N5416
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
TRANS PNP 300V 1A TO5
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
15617 Pieces
Bảng dữliệu:
JAN2N5416.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JAN2N5416, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JAN2N5416 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JAN2N5416 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):300V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:2V @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-5
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/485
Power - Max:750mW
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Vài cái tên khác:1086-21051
1086-21051-MIL
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 200°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:JAN2N5416
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 750mW Through Hole TO-5
Sự miêu tả:TRANS PNP 300V 1A TO5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 50mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1mA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận