JANTXV2N5666S
Số Phần:
JANTXV2N5666S
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
TRANS NPN 200V 5A TO39
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
14060 Pieces
Bảng dữliệu:
JANTXV2N5666S.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JANTXV2N5666S, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JANTXV2N5666S qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JANTXV2N5666S với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):200V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 5A, 1A
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-39 (TO-205AD)
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/455
Power - Max:1.2W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Vài cái tên khác:1086-21068
1086-21068-MIL
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 200°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:20 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:JANTXV2N5666S
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 5A 1.2W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Sự miêu tả:TRANS NPN 200V 5A TO39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:40 @ 1A, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):200nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):5A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận