MDS150 - Microsemi Corporation - Transistors - lưỡng cực (BJT) - RF MDS150

MDS150

Số Phần:: MDS150

nhà chế tạo:: Microsemi

Sự miêu tả:: TRANS RF BIPO 350W 4A 55AW1

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 17730 Pieces

Bảng dữliệu:: MDS150.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MDS150, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MDS150 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua MDS150 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	60V
Loại bóng bán dẫn:	NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:	55AW
Loạt:	-
Power - Max:	350W
Bao bì:	Bulk
Gói / Case:	55AW
Nhiệt độ hoạt động:	200°C (TJ)
Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f):	-
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	MDS150
Lợi:	10dB
Tần số - Transition:	1.03GHz ~ 1.09GHz
Mô tả mở rộng:	RF Transistor NPN 60V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 350W Chassis Mount 55AW
Sự miêu tả:	TRANS RF BIPO 350W 4A 55AW1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	20 @ 500mA, 5V
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	4A
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho MDS150

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
NE68118-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Tin nhắn của bạn
BLS3135-50,114	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF POWER SOT422A	Tin nhắn của bạn
HFA3096BZ96	Intersil	IC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức