STB150N3LH6
STB150N3LH6
Số Phần:
STB150N3LH6
nhà chế tạo:
ST
Sự miêu tả:
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12570 Pieces
Bảng dữliệu:
STB150N3LH6.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho STB150N3LH6, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho STB150N3LH6 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua STB150N3LH6 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-263 (D²Pak)
Loạt:DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, VGS:3 mOhm @ 40A, 10V
Điện cực phân tán (Max):110W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:497-13263-2
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:STB150N3LH6
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3800pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận