STW56N65DM2
STW56N65DM2
Số Phần:
STW56N65DM2
nhà chế tạo:
ST
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 48A
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19998 Pieces
Bảng dữliệu:
STW56N65DM2.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho STW56N65DM2, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho STW56N65DM2 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua STW56N65DM2 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±25V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247
Loạt:MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 24A, 10V
Điện cực phân tán (Max):360W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:497-16337-5
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:24 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:STW56N65DM2
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:88nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 48A
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận