Mua ZXGD3003E6QTA với BYCHPS
Mua với đảm bảo
ZXGD3003E6QTA
- Số Phần:
- ZXGD3003E6QTA
- nhà chế tạo:
- Diodes Incorporated
- Sự miêu tả:
- IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 16709 Pieces
- Bảng dữliệu:
- ZXGD3003E6QTA.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho ZXGD3003E6QTA, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho ZXGD3003E6QTA qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Cung cấp: | 40V (Max) |
|---|---|
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | SOT-23-6 |
| Loạt: | - |
| Tăng / giảm thời gian (Typ): | 8.9ns, 8.9ns |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | SOT-23-6 |
| Vài cái tên khác: | ZXGD3003E6QTADI |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tần số vào: | 1 |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 10 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | ZXGD3003E6QTA |
| Điện thế logic - VIL, VIH: | - |
| Kiểu đầu vào: | Non-Inverting |
| Loại cổng: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Mô tả mở rộng: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-23-6 |
| Cấu hình Driven: | Low-Side |
| Sự miêu tả: | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 |
| Hiện tại - Peak Output (Nguồn, Sink): | 5A, 5A |
| Base-Emitter Saturation Voltage (Max): | Single |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho ZXGD3003E6QTA
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | Tin nhắn của bạn |
 |
ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Tin nhắn của bạn |
|
ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Tin nhắn của bạn |
|
ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Tin nhắn của bạn |
|
ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Tin nhắn của bạn |
|
ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Tin nhắn của bạn |
|
ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | Tin nhắn của bạn |
|
ZXGD3009E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Tin nhắn của bạn |
|
ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Tin nhắn của bạn |
|
ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog