IPB065N15N3GE8187ATMA1
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Số Phần:
IPB065N15N3GE8187ATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14748 Pieces
Bảng dữliệu:
IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPB065N15N3GE8187ATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPB065N15N3GE8187ATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPB065N15N3GE8187ATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 270µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263-7
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:6.5 mOhm @ 100A, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vài cái tên khác:IPB065N15N3 G E8187
IPB065N15N3 G E8187-ND
IPB065N15N3 G E8187TR-ND
SP000939336
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPB065N15N3GE8187ATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:7300pF @ 75V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:93nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Xả để nguồn điện áp (Vdss):150V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:130A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận