Tiếng Việt
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Về chúng tôi | Liên hệ chúng tôi | Yêu cầu báo giá |
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > IPB065N15N3GE8187ATMA1
IPB065N15N3GE8187ATMA1
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Số Phần:
IPB065N15N3GE8187ATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14748 Pieces
Bảng dữliệu:
IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf
Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPB065N15N3GE8187ATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPB065N15N3GE8187ATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPB065N15N3GE8187ATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 270µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263-7
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:6.5 mOhm @ 100A, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vài cái tên khác:IPB065N15N3 G E8187
IPB065N15N3 G E8187-ND
IPB065N15N3 G E8187TR-ND
SP000939336
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPB065N15N3GE8187ATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:7300pF @ 75V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:93nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Xả để nguồn điện áp (Vdss):150V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:130A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận

bộ phận liên quan cho IPB065N15N3GE8187ATMA1

hình ảnh Số Phần Nhà sản xuất của Sự miêu tả Lượt xem
IPB065N03L G Image IPB065N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 Tin nhắn của bạn
IPB065N10N3GATMA1 Image IPB065N10N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 Tin nhắn của bạn
IPB06N03LAT Image IPB06N03LAT Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK Tin nhắn của bạn
IPB065N06L G Image IPB065N06L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Tin nhắn của bạn
IPB065N15N3 G Image IPB065N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Tin nhắn của bạn
PMT760EN,135 Image PMT760EN,135 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V SC-73 Tin nhắn của bạn
IPB06N03LB G Image IPB06N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Tin nhắn của bạn
IPB06N03LA G Image IPB06N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK Tin nhắn của bạn
IPB067N08N3 G Image IPB067N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 Tin nhắn của bạn
IPB06N03LB Image IPB06N03LB Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Tin nhắn của bạn
IPB06N03LA Image IPB06N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK Tin nhắn của bạn
IPB06CN10N G Image IPB06CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 Tin nhắn của bạn

Latest Tin tức