NJVMJD42CT4G-VF01
NJVMJD42CT4G-VF01
Số Phần:
NJVMJD42CT4G-VF01
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 100V 6A DPAK-4
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19438 Pieces
Bảng dữliệu:
NJVMJD42CT4G-VF01.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NJVMJD42CT4G-VF01, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NJVMJD42CT4G-VF01 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NJVMJD42CT4G-VF01 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 600mA, 6A
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK
Loạt:-
Power - Max:1.75W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:NJVMJD42CT4G
NJVMJD42CT4G-ND
NJVMJD42CT4G-VF01TR
NJVMJD42CT4GOSTR-ND
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:NJVMJD42CT4G-VF01
Tần số - Transition:3MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Sự miêu tả:TRANS PNP 100V 6A DPAK-4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:15 @ 3A, 4V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):50µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):6A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận