SI4500BDY-T1-GE3
Số Phần:
SI4500BDY-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17055 Pieces
Bảng dữliệu:
SI4500BDY-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI4500BDY-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI4500BDY-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI4500BDY-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power - Max:1.3W
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:SI4500BDY-T1-GE3DKR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI4500BDY-T1-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Loại FET:N and P-Channel, Common Drain
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6.6A, 3.8A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận