Mua SI4500BDY-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Gói thiết bị nhà cung cấp: | 8-SO |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
Power - Max: | 1.3W |
Bao bì: | Original-Reel® |
Gói / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vài cái tên khác: | SI4500BDY-T1-GE3DKR |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | SI4500BDY-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
Loại FET: | N and P-Channel, Common Drain |
FET Feature: | Logic Level Gate |
Mô tả mở rộng: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
Sự miêu tả: | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 6.6A, 3.8A |
Email: | [email protected] |