Các tính năng tiết kiệm năng lượng bao gồm mạch khởi động điện áp cao "không có nguồn", cũng như chuyển mạch chế độ burst khi tải rất thấp hoặc ngắt kết nối (xem bên dưới), nhằm giúp bộ sạc đáp ứng các quy định như CoC đến Thông số hiệu suất cung cấp điện cấp 2.

“Dòng điện cực thấp loại bỏ nhiễu âm thanh khi tải ánh sáng hoặc không tải, và STCH03 có tính năng khóa điện áp thích ứng thích nghi để đảm bảo vận hành ổn định ở các giá trị thấp của điện áp phân cực phụ trợ biến áp, ”ST nói.

Tại các tải trọng nặng hơn, chip chuyển sang chế độ bán cộng hưởng với chuyển đổi điện áp zero (ZVS) được điều khiển bằng cách phát hiện khử từ biến áp.

Mạch phát hiện cũng cung cấp cho điều khiển chuyển tiếp dòng điện áp, nhằm cải thiện quy định dòng không đổi.

Quy định được mô tả tại "điều chỉnh dòng không đổi ở phía chính, mặc dù bộ cách ly quang cung cấp phản hồi điện áp trong một ứng dụng điển hình (xem mạch).

Bảo vệ quá nhiệt và quá áp được bao gồm, như tự động khởi động lại (hoặc hoạt động chốt tùy chọn trong biến thể STCH03L).

Khởi động mềm ngăn chặn dòng điện cao điểm lúc khởi động.

Nó đi kèm trong một gói SO-8.

Chuyển đổi

Tại tải nặng, hoạt động gần như cộng hưởng, đạt được bằng cách đồng bộ hóa MOSFET turn-on để biến đổi demagnetisation bằng cách phát hiện các cạnh tiêu cực kết quả của điện áp trên bất kỳ quanh co của biến áp - gây biến tần chế độ biên hoạt động.

Khi tải giảm, cuối cùng nó chuyển sang chế độ bỏ qua thung lũng, nơi mà MOSFET bật lên sẽ không còn xuất hiện trên thung lũng đầu tiên, nhưng vào thứ hai, thứ ba, và vv - điều này cũng ngăn cản việc chuyển đổi tần số tiến lên trên mức tối đa 167kHz.

Khi tải rất nhẹ hoặc không tồn tại, nó đi vào hoạt động bật / tắt được điều khiển với dòng đỉnh không đổi - dẫn đến giảm tần số với tải, cuối cùng xuống tới vài trăm Hz, cắt giảm tổn thất chuyển mạch ở mức tối thiểu. “Vì dòng điện cực đại rất thấp, không có vấn đề về tiếng ồn âm thanh phát sinh”, ST nói.

Khởi động nguồn không khởi động

Là MOSFET nội suy giảm giá 650V trong chip, kéo dòng điện qua chân HV từ bộ chỉnh lưu nguồn, đến khi HV đạt ~ 50V, đổ đầy tụ điện giữa VDD và mặt đất tại 7mA ubtil mà cacitor đạt ~ 17V khi dòng MOSFET dừng lại - bị rò rỉ chỉ "vài trăm nA", công ty cho biết.