1N649-1
1N649-1
Số Phần:
1N649-1
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
12214 Pieces
Bảng dữliệu:
1N649-1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 1N649-1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 1N649-1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 1N649-1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1V @ 400mA
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):600V
Gói thiết bị nhà cung cấp:DO-35
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:-
Bao bì:Bulk
Gói / Case:DO-204AH, DO-35, Axial
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 175°C
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:1N649-1
Mô tả mở rộng:Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:50nA @ 600V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):400mA
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận