1SV311(TPH3,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Điốt - điện dung biến thiên (Varicaps, Varactors) 1SV311(TPH3,F)

1SV311(TPH3,F)

Số Phần:: 1SV311(TPH3,F)

nhà chế tạo:: Toshiba Semiconductor

Sự miêu tả:: DIODE VARACTOR 10V ESC

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 13937 Pieces

Bảng dữliệu:: 1SV311(TPH3,F).pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 1SV311(TPH3,F), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 1SV311(TPH3,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua 1SV311(TPH3,F) với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Đỉnh ngược (Max):	10V
Gói thiết bị nhà cung cấp:	ESC
Loạt:	-
Q @ VR, F:	-
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SC-79, SOD-523
Vài cái tên khác:	1SV311 (TPH3,F) 1SV311(TH3,F) 1SV311(TH3,F,T) 1SV311(TH3,F,T)-ND 1SV311(TH3F)TR 1SV311(TH3F)TR-ND 1SV311(TPH3F)TR 1SV311FTR 1SV311FTR-ND 1SV311TPH3F
Nhiệt độ hoạt động:	125°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	1SV311(TPH3,F)
Mô tả mở rộng:	Varactor Single 10V Surface Mount ESC
Loại diode:	Single
Sự miêu tả:	DIODE VARACTOR 10V ESC
Điện dung Tỷ lệ Điều kiện:	C1/C4
Tỷ lệ điện dung:	2.1
Dung @ VR, F:	5.45pF @ 4V, 1MHz
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho 1SV311(TPH3,F)

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
BB535E7904HTSA1	Infineon Technologies	DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323	Tin nhắn của bạn
FMMV2103TA	Diodes Incorporated	DIODE VAR CAPAC 30V 10PF SOT23-3	Tin nhắn của bạn
1SV310TPH3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE VARACTOR 10V USC	Tin nhắn của bạn
1SV282TPH3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức