2N3019S
2N3019S
Số Phần:
2N3019S
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
TRANS NPN 80V 1A TO-39
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
16418 Pieces
Bảng dữliệu:
2N3019S.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2N3019S, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2N3019S qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2N3019S với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-39
Loạt:-
Power - Max:800mW
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 200°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:2N3019S
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39
Sự miêu tả:TRANS NPN 80V 1A TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 500mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):10nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận