2N4123RLRM
Số Phần:
2N4123RLRM
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 30V 0.2A TO-92
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
16490 Pieces
Bảng dữliệu:
2N4123RLRM.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2N4123RLRM, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2N4123RLRM qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2N4123RLRM với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):30V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92-3
Loạt:-
Power - Max:625mW
Bao bì:Tape & Box (TB)
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:2N4123RLRM
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 200mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Sự miêu tả:TRANS NPN 30V 0.2A TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 2mA, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):50nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):200mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận