2N6426RLRAG
Số Phần:
2N6426RLRAG
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14201 Pieces
Bảng dữliệu:
2N6426RLRAG.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2N6426RLRAG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2N6426RLRAG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2N6426RLRAG với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 500µA, 500mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92-3
Loạt:-
Power - Max:625mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:2N6426RLRAG
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3
Sự miêu tả:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:30000 @ 100mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận