2N7000_D75Z
2N7000_D75Z
Số Phần:
2N7000_D75Z
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13194 Pieces
Bảng dữliệu:
2N7000_D75Z.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2N7000_D75Z, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2N7000_D75Z qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2N7000_D75Z với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92-3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 500mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):400mW (Ta)
Bao bì:Tape & Box (TB)
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Vài cái tên khác:2N7000_D75Z-ND
2N7000_D75ZFSTB
2N7000_D75ZTB
2N7000_D75ZTB-ND
2N7000D75Z
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:2N7000_D75Z
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:-
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận